Nieuwsbank

Schrijft, screent en verspreidt persberichten voor journalistiek, search en social media. Hét startpunt om uw nieuws wereldkundig te maken. Ook voor follow-ups, pitches en korte videoproducties.

Siemens: 600V IGBT in non-punch-through technologie

Datum nieuwsfeit: 15-04-1999
Vindplaats van dit bericht
Bron: Razende Robot Reporter
Zoek soortgelijke berichten
Siemens Nederland N.V.

Persbericht

HL PS 1198.011

Den Haag, maandag 12 april 1999

Wereldprimeur: 600V IGBT in non-punch-through technologie

De divisie Halfgeleiders van Siemens presenteert de eerste 600V IGBT's (Insulated Gate Bipolar Transistor) in non-punch-through technologie (NPT). Met deze zogeheten fast-IGBT's kunnen snelle vermogensschakelaars worden gerealiseerd met compacte afmetingen, minder componenten en een gereduceerd energieverbruik. De onderdelen zijn direct leverbaar.

NPT is de state of the art technologie bij 1200V-IGBT's en is nu door een innovatief productieproces bij Siemens Halfgeleiders ook als 600V-variant beschikbaar. Naast toepassing in elektro-aandrijvingen kan de 600V-variant ook worden ingezet in ruimte- en kostenbesparende schakelende voedingen, UPS-voedingen en lassystemen. Deze fast-IGBT's kunnen met een schakelfrequentie van maximaal 300 kHz worden ingezet: een wereldrecord!

Een positieve temperatuurcoëfficiënt van de verzadigingsspanning VCE(SAT) zorgt ervoor dat verschillende fast-IGBT-eenheden moeiteloos parallel geschakeld kunnen worden. Door de 'thin-wafer' technologie ontstaat een drie- tot vijfmaal zo laag schakelverlies t.o.v. de punch-through-techniek. Hierdoor kunnen koellichamen sterk gereduceerd worden, hetgeen de totale systeemkosten verlaagt.

De fast-IGBT-componenten onderscheiden zich behalve door een hogere schakelfrequentie ook door een grote robuustheid en door hun latch-up- en kortsluitvastheid. In veel toepassingen kunnen ze MOSFET's zonder schakeltechnische aanpassingen vervangen. Verder maken ze de ontwikkeling mogelijk van hoogrendementsvoedingen voor tal van toekomstige apparaten.

De 600V-IGBT-producten zijn leverbaar in stroomsterkten van 2A tot 30A in
TO-220- en TO-220-SMD-behuizing en van 2A tot 6A in DPAK- of IPAK-behuizing. In de komende maanden worden DuoPacks met een antiparallelle vrijloopdiode op de markt gebracht.

De divisie Halfgeleiders van Siemens biedt een breed productenspectrum van hooggeïntegreerde systeem-IC's, geheugen- en HF-modulen, discrete halfgeleiders en vermogens-IC's, maar ook optische halfgeleiders en glasvezelcomponenten. Daarmee hoort deze divisie tot de toonaangevende aanbieders van elektronische componenten voor de belangrijke markten van de communicatietechniek, automatisering, gegevenstechniek, automobiel- en consumentenelektronica. Op het gebied van chipkaart-IC's is Siemens wereldwijd zelfs nummer één.

Nadere inlichtingen voor de lezer:
divisie Elektronica Componenten
tel. (070) 333 2477

Nadere inlichtingen voor de redactie:
afdeling Persvoorlichting, Bernard H. Bos
tel. (070) 333 2325

© Siemens Nederland N.V. 1999

reageer via disqus

Nieuwsbank op Twitter

Gratis persberichten ontvangen?

Registreer nu

Profiteer van het gratis Nieuwsbank persberichtenfilter

advertentie