Nieuwsbank

Schrijft, screent en verspreidt persberichten voor journalistiek, search en social media. Hét startpunt om uw nieuws wereldkundig te maken. Ook voor follow-ups, pitches en korte videoproducties.

Promotie over gedrag metaalatomen op silicium

Datum nieuwsfeit: 04-12-2000
Bron: Technische Universiteit Delft
Zoek soortgelijke berichten
Technische Universiteit Delft

by mailhost1.tudelft.nl (PMDF V5.2-33 #42432)
with SMTP id <0G4J00KISCL41K@mailhost1.tudelft.nl> for (persbericht@nieuwsbank.nl); Fri, 24 Nov 2000 16:34:16 +0100 (MET) Received: from TUDBU-Message_Server by SMTP.BU.TUDELFT.NL with Novell_GroupWise; Fri, 24 Nov 2000 16:34:32 +0100
Date: Fri, 24 Nov 2000 16:34:29 +0100
From: Maarten vanderSanden Subject: Wetenschapsagenda van de TU Delft, december 2000 To: (persbericht@nieuwsbank.nl)
Message-id:
MIME-version: 1.0
X-Mailer: Novell GroupWise 5.5.2
Content-type: text/plain; charset=ISO-8859-1
Content-disposition: inline

Alle promoties, intree- en afscheidsredes worden gehouden in de Aula van de TU Delft, Mekelweg 5, Delft.

Promotie

Kobaltcluster
4 december 2000 | 13.30 uur
Hr. B. Ilge, Diplom-Physiker univ. (predikaat sehr gut) U. Bayreuth, Duitsland Promotor | prof.dr.ir. J.E. Mooij (fac. TNW) Toeg.prom.| dr. L.J. Geerligs
(UHD-fac. TNW)

Scanning Tunneling Microscopy of Cobalt on Silicon surfaces: a study on formation and properties of metallic nano structures Met de Scanning Tunneling Microscoop (STM) heeft Ilge onderzoek gedaan naar het gedrag van metaalatomen op siliciumoppervlakken en de vorming en elektrische eigenschappen van metallische nanostructuren. Zo heeft de Delftse promovendus onder andere gekeken naar het formatieproces van kleine kobaltclusters die slechts uit een paar atomen bestaan en de vastestof-reactie tussen een halve nanometer dikke kobalt-film en het silicium-substraat. Afhankelijk van de temperatuurbehandeling en de hoeveelheid kobalt kunnen er heel verschillende structuren ontstaan. De kleine afmetingen van de resulterende structuren (van een paar angström tot meerdere nanometers) zijn van invloed op de elektrische eigenschappen. Zo worden één-elektron-effecten en het golfkarakter van elektronen belangrijk. Behalve voor de karakterisatie van de resulterende structuren op atomaire schaal is de STM gebruikt om de oppervlakken op atomaire schaal te manipuleren. Eén van de gebruikte methodes is het aanbrengen van een monoatomaire waterstof laag op het siliciumoppervlak, waarin daarna met de STM dunne lijntjes met lijnbreedtes van 3-5 atomen worden geschreven. Deze lijnen, die een hogere chemische reactiviteit hebben, werden daarna selectief met metaalatomen gedecoreerd. Door verwarming of depositie bij hogere temperatuur kunnen deze lijntjes volledig worden transformeert tot kobaltdisilicide (een reactieproduct van kobalt en silicium). Dit materiaal wordt dankzij zijn voordelige eigenschappen in computerchips als elektrisch contact materiaal gebruikt.

TU Delft
Maarten van der Sanden
tel.: 015 2785454

reageer via disqus

Nieuwsbank op Twitter

Gratis persberichten ontvangen?

Registreer nu

Profiteer van het gratis Nieuwsbank persberichtenfilter

advertentie