Nieuwsbank

Schrijft, screent en verspreidt persberichten voor journalistiek, search en social media. Hét startpunt om uw nieuws wereldkundig te maken. Ook voor follow-ups, pitches en korte videoproducties.

Promotieonderzoek over epitaxiale groei van atomen

Datum nieuwsfeit: 13-09-2001
Bron: Ingezonden persbericht
Zoek soortgelijke berichten
Ingezonden persbericht


Atomen in beweging

WN 01/56 *13 september 2001

promotie ir. E. Zoethout, faculteit Technische Natuurkunde: 'Growth and Dynamics of Strained Surfaces'

In dit proefschrift wordt het beginstadium van de technologisch belangrijke epitaxiale groei van silicium (Si) en germanium (Ge) op Si(001) en Ge(001) oppervlakken onderzocht. De voortdurende miniaturisatie van halfgeleider-devices leidt tot een steeds grotere behoefte aan kennis over het gedrag van materialen op atomair niveau. Om goed gedefinieerde studies op deze extreem kleine schaal mogelijk te maken, vindt het onderzoek plaats in een ultrahoog-vacuumopstelling. Daarbij wordt een scanning tunneling microscoop (STM) ...
Dit waren de eerste 100 woorden van de door u opgevraagde pagina uit het Nieuwsbank persberichtenarchief. Na betaling kunt u het hele persbericht lezen.
Bent u abonnee? Klik hier om uw wachtwoord op te geven.
Wilt u nu snel binnen tien minuten abonnee worden? Klik dan hier.

Klik hier om het volledige persbericht te lezen




reageer via disqus

Nieuwsbank op Twitter

Gratis persberichten ontvangen?

Registreer nu

Profiteer van het gratis Nieuwsbank persberichtenfilter

advertentie